Emi blindajerako eta ukipen-pantailetarako Ito beira
Produktuen argazkiak
ITO estalitako beira eroalea silizio dioxidoa (SiO2) eta indio eztainu oxidoa (ito normalean ITO bezala ezagutzen dena) geruza magnetron bidezko sputtering teknologiaren bidez egiten da hutsean erabat hutsean dagoen beirazko substratuan, estalitako aurpegia eroale bihurtuz, ITO metalezko konposatu bat da gardena eta ona duena. propietate eroaleak.
Datu teknikoak
ITO beiraren lodiera | 0,4 mm, 0,5 mm, 0,55 mm, 0,7 mm, 1 mm, 1,1 mm, 2 mm, 3 mm, 4 mm | ||||||||
erresistentzia | 3-5Ω | 7-10Ω | 12-18Ω | 20-30Ω | 30-50Ω | 50-80Ω | 60-120Ω | 100-200Ω | 200-500Ω |
estalduraren lodiera | 2000-2200Å | 1600-1700Å | 1200-1300Å | 650-750Å | 350-450Å | 200-300Å | 150-250Å | 100-150Å | 30-100Å |
Beira erresistentzia | |||
Erresistentzia mota | erresistentzia baxua | erresistentzia normala | erresistentzia handia |
Definizioa | <60Ω | 60-150Ω | 150-500Ω |
Aplikazio | Erresistentzia handiko beira, oro har, babes elektrostatikorako eta ukipen pantailarako erabiltzen da | Erresistentziazko beira arrunta TN motako kristal likidoen pantailarako eta interferentzia elektronikoen aurkako (EMI blindajea) erabiltzen da. | Erresistentzia baxuko beira STN kristal likidoen pantailetan eta zirkuitu plaka gardenetan erabiltzen da |
Proba funtzionala eta fidagarritasun proba | |
Tolerantzia | ± 0,2 mm |
Warpage | lodiera<0.55mm, warpage≤0.15% lodiera>0,7 mm, deformazioa ≤% 0,15 |
ZT bertikala | ≤1° |
Gogortasuna | > 7H |
Estalduraren urradura-proba | 0000 # altzairuzko artilea 1000 gfrekin,6000ziklo,40ziklo/min |
Korrosioaren aurkako proba (gatz spray proba) | NaCL kontzentrazioa % 5:Tenperatura: 35°CEsperimentu-denbora: 5min erresistentzia-aldaketa ≤10% |
Hezetasunaren erresistentzia proba | 60℃,%90 RH,48 orduko erresistentzia-aldaketa ≤10% |
Azido erresistentzia proba | HCL kontzentrazioa:%6,Tenperatura: 35°CEsperimentu-denbora: 5min erresistentzia-aldaketa ≤10% |
Alkali erresistentzia proba | NaOH kontzentrazioa:% 10,Tenperatura: 60°CEsperimentu-denbora: 5min erresistentzia-aldaketa ≤10% |
Egonkortasun termikoa | Tenperatura: 300°CBerotze denbora: 30min erresistentzia aldaketa ≤300% |
Tramitazioa
Si02 geruza:
(1) SiO2 geruzaren eginkizuna:
Helburu nagusia da soda-kaltzio substratuan dauden metal ioiak ITO geruzan hedatzea saihestea.ITO geruzaren eroankortasunean eragiten du.
(2) SiO2 geruzaren filmaren lodiera:
Filmaren lodiera estandarra, oro har, 250 ± 50 Å da
(3) SiO2 geruzan beste osagai batzuk:
Normalean, ITO beiraren transmisioa hobetzeko, SiN4-ren proportzio jakin bat SiO2-ra dopatzen da.
BIRELAREN ERRESISTENTZIA | ||||||
MOTA | erresistentzia baxua | erresistentzia normala | erresistentzia handia | |||
Definizioa | <60Ω | 60-150Ω | 150-500Ω | |||
Aplikazio | Erresistentzia handiko beira, oro har, babes elektrostatikorako eta ukipen pantailarako erabiltzen da | Erresistentziazko beira arrunta TN motako kristal likidoen pantailarako eta interferentzia elektronikoen aurkako (EMI blindajea) erabiltzen da. | Erresistentzia baxuko beira STN kristal likidoen pantailetan eta zirkuitu plaka gardenetan erabiltzen da |