Ito ապակի emi-ի պաշտպանիչ և սենսորային էկրանների համար
Ապրանքներ Նկարներ
ITO հաղորդիչ ծածկված ապակին պատրաստվում է սիլիցիումի երկօքսիդի (SiO2) և ինդիումի անագի օքսիդի (սովորաբար հայտնի է որպես ITO) շերտը մագնետրոնային ցրման տեխնոլոգիայի միջոցով ապակե հիմքի վրա ամբողջովին վակուումային վիճակում, ծածկված դեմքը դարձնելով հաղորդիչ, ITO-ն մետաղական միացություն է, որը լավ թափանցիկ է և հաղորդիչ հատկություններ:
Տեխնիկական տվյալները
ITO ապակու հաստությունը | 0,4 մմ, 0,5 մմ, 0,55 մմ, 0,7 մմ, 1 մմ, 1,1 մմ, 2 մմ, 3 մմ, 4 մմ | ||||||||
դիմադրություն | 3-5Ω | 7-10Ω | 12-18 Ω | 20-30 Ω | 30-50 Ω | 50-80 Ω | 60-120 Ω | 100-200 Ω | 200-500 Ω |
ծածկույթի հաստությունը | 2000-2200Å | 1600-1700 Ա | 1200-1300Å | 650-750Å | 350-450Å | 200-300Å | 150-250Å | 100-150Å | 30-100Å |
Ապակու դիմադրություն | |||
Դիմադրության տեսակը | ցածր դիմադրություն | նորմալ դիմադրություն | բարձր դիմադրություն |
Սահմանում | <60Ω | 60-150 Ω | 150-500 Ω |
Դիմում | Բարձր դիմադրողականության ապակին սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրաստատիկ պաշտպանության և սենսորային էկրանի արտադրության համար | Սովորական դիմադրողական ապակին սովորաբար օգտագործվում է TN տիպի հեղուկ բյուրեղային էկրանի և էլեկտրոնային հակամիջամտությունների համար (EMI պաշտպանություն) | Ցածր դիմադրության ապակիները սովորաբար օգտագործվում են STN հեղուկ բյուրեղյա էկրանների և թափանցիկ տպատախտակների մեջ |
Ֆունկցիոնալ թեստ և հուսալիության թեստ | |
Հանդուրժողականություն | ±0,2 մմ |
Warpage | հաստությունը<0.55 մմ, warpage≤0.15% հաստություն>0,7 մմ, ոլորողություն≤0,15% |
ZT ուղղահայաց | ≤1° |
Կարծրություն | >7H |
Ծածկույթի քայքայումի փորձարկում | 0000#պողպատե բուրդ 1000գֆ,6000 ցիկլ, 40 ցիկլ / րոպե |
Հակակոռուպցիոն թեստ (աղի ցողացիր) | NaCL կոնցենտրացիան 5%:Ջերմաստիճանը՝ 35°CՓորձի ժամանակը. 5 րոպե դիմադրության փոփոխություն≤10% |
Խոնավության դիմադրության փորձարկում | 60℃,90% RH,48 ժամ դիմադրության փոփոխություն≤10% |
Թթվային դիմադրության փորձարկում | HCL կոնցենտրացիան՝ 6%, Ջերմաստիճանը՝ 35°CՓորձի ժամանակը. 5 րոպե դիմադրության փոփոխություն≤10% |
Ալկալիների դիմադրության փորձարկում | NaOH կոնցենտրացիան՝ 10%, Ջերմաստիճանը՝ 60°CՓորձի ժամանակը. 5 րոպե դիմադրության փոփոխություն≤10% |
Թեմային կայունություն | Ջերմաստիճանը՝ 300°Cջեռուցման ժամանակը: 30 րոպե դիմադրության փոփոխություն≤300% |
Մշակում
Si02 շերտ.
(1) SiO2 շերտի դերը.
Հիմնական նպատակն է կանխել սոդա-կալցիումային ենթաշերտի մետաղի իոնների տարածումը ITO շերտ:Այն ազդում է ITO շերտի հաղորդունակության վրա:
(2) SiO2 շերտի թաղանթի հաստությունը.
Ստանդարտ ֆիլմի հաստությունը սովորաբար 250 ± 50 Ա է
(3) SiO2 շերտի այլ բաղադրիչներ.
Սովորաբար, ITO ապակու հաղորդունակությունը բարելավելու համար SiN4-ի որոշակի մասնաբաժինը լցվում է SiO2-ի մեջ:
ԱՊԱԿԻ ԴԻՄԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆ | ||||||
ՏԻՊ | ցածր դիմադրություն | նորմալ դիմադրություն | բարձր դիմադրություն | |||
Սահմանում | <60Ω | 60-150 Ω | 150-500 Ω | |||
Դիմում | Բարձր դիմադրողականության ապակին սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրաստատիկ պաշտպանության և սենսորային էկրանի արտադրության համար | Սովորական դիմադրողական ապակին սովորաբար օգտագործվում է TN տիպի հեղուկ բյուրեղային էկրանի և էլեկտրոնային հակամիջամտությունների համար (EMI պաշտպանություն) | Ցածր դիմադրության ապակիները սովորաբար օգտագործվում են STN հեղուկ բյուրեղյա էկրանների և թափանցիկ տպատախտակների մեջ |