consuetudo ito vitri obductis, ito vitreis fabrica
Products Pics
ITO vitrum bitumen conductivum fit patula dioxide silicon (SiO2) et indium oxydi stagni (vulgo ITO) iacuit magnetron technologia putris vitreae sub conditione vitreo sub condicione prorsus vacuato, faciei conductiva lita faciens, ITO mixtum metallicum cum bono perspicuo et possessiones conductas.
Technical data
ITO crassitudine vitreo | 0.4mm,0.5mm,0.55mm,0.7mm,1mm,1.1mm,2mm,3mm,4mm | ||||||||
resistentia | 3-5Ω | 7-10Ω | 12-18Ω | 20-30Ω | 30-50Ω | 50-80Ω | 60-120Ω | 100-200Ω | 200-500Ω |
crassitudine efficiens | 2000-2200Å | 1600-1700Å | 1200-1300Å | 650-750Å | 350-450Å | 200-300Å | 150-250Å | 100-150Å | 30-100Å |
Speculum resistentiae | |||
Resistentia type | humilis resistentia | normalis resistentia | magno resistentia |
Definition | <60Ω | 60-150Ω | 150-500Ω |
Applicationem | Repugnantia vitrea magna plerumque adhibentur ad tutelam electrostaticam et tactum productionis screen | Vitreum resistentia ordinaria plerumque adhibetur pro TN specie liquida cristallinae ostentationis et electronic anti-incursio (EMI protegens) | Vitrum humilis resistentia plerumque adhibetur in STN liquido crystallo exhibito et ambitu tabulae pellucidae |
Eget test et reliability test | |
tolerantia | ±0.2mm |
Warpage | crassitudine<0.55mm, warpage≤0.15% crassitudine>0.7mm, warpage≤0.15% |
ZT vertical | ≤1° |
duritia | >7H |
Abrasion test coating | 0000# ferro lanae cum 1000gf.6000cycles,40cycles/min |
Anti corrsion test (sal imbre test) | NaCL concentration 5%: Temperature: 35°C Experimentum temporis: 5min resistentiae change≤10% |
Repugnantia Umor test | 60℃.90% RH.XLVIII horis resistentia change≤10% |
Acidum resistentia test | HCL concentration:6%, Temperature: 35°C Experimentum temporis: 5min resistentia change≤10% |
Alkali resistentia test | Retrahitur NaOH: 10%, Temperature: 60°C Experimentum temporis: 5min resistentia change≤10% |
Themal stabilitatis | Temperature: CCC° calefactio temporis: 30min resistentia change≤300% |
Processing
Si02 iacuit:
(1) Munus iacuit SiO2:
Praecipuum propositum est ne metalla in calcii nitri substrato diffundant in stratum ITO.Conductu ITO iacuit afficit.
(2) Crassitudo membranae SiO2 iacuit;
Vexillum pelliculae crassitudinis est plerumque 250± 50
(3) Alia membra in strato SiO2:
Solet, ut vitrei ITO transmissio emendaretur, proportio certa SiN4 in SiO2 emittitur.