Ito Glas fir Emi Shielding an Touchscreens
Produkter Fotoen
ITO konduktiv Beschichtete Glas gëtt gemaach duerch d'Verbreedung vu Siliziumdioxid (SiO2) an Indium-Zinnoxid (allgemeng bekannt als ITO) Schicht duerch Magnetron-Sputtering Technologie op Glassubstrat ënner ganz Vakuumbedingungen, wat Beschichtete Gesiicht konduktiv mécht, ITO ass eng Metallverbindung mat guddem transparenten an konduktiv Eegeschaften.
Technesch Donnéeën
ITO Glasdicke | 0,4 mm, 0,5 mm, 0,55 mm, 0,7 mm, 1 mm, 1,1 mm, 2 mm, 3 mm, 4 mm | ||||||||
Resistenz | 3-5 Ω | 7-10 Ω | 12-18 Ω | 20-30 Ω | 30-50 Ω | 50-80 Ω | 60-120 Ω | 100-200 Ω | 200-500 Ω |
Beschichtungsdicke | 2000-2200 A | 1600-1700 A | 1200-1300Å | 650-750 Å | 350-450 A | 200-300 A | 150-250 A | 100-150 A | 30-100 A |
Glas Resistenz | |||
Resistenz Typ | niddereg Resistenz | normal Resistenz | héich Resistenz |
Definitioun | <60 Ω | 60-150 Ω | 150-500 Ω |
Applikatioun | Héich Resistenz Glas gëtt allgemeng fir elektrostatesche Schutz an Touchscreen Produktioun benotzt | Gewéinlech Resistenzglas gëtt allgemeng benotzt fir TN-Typ Flëssegkristalldisplay an elektronesch Anti-Interferenz (EMI-Schirmung) | Niddereg Resistenzglas gëtt allgemeng a STN Flëssegkristalldisplays an transparente Circuitboards benotzt |
Funktionell Test an Zouverlässegkeet Test | |
Toleranz | ± 0,2 mm |
Warpage | deck<0,55 mm, warpage ≤ 0,15% deck>0,7 mm, Krunn ≤ 0,15% |
ZT vertikal | ≤1° |
Hardness | >7H |
Beschichtung Abrasion Test | 0000#Stolwoll mit 1000gf,6000 Zyklen, 40 Zyklen/min |
Anti-Korrsiounstest (Salzspraytest) | NaCL Konzentratioun 5%:Temperatur: 35°CExperiment Zäit: 5min Resistenz änneren ≤10% |
Fiichtegkeet Resistenz Test | 60℃,90% RH,48 Stonnen Resistenz änneren ≤10% |
Seier Resistenz Test | HCL Konzentratioun: 6%, Temperatur: 35 ° CExperiment Zäit: 5min Resistenz änneren ≤10% |
Alkali Resistenz Test | NaOH Konzentratioun: 10%, Temperatur: 60 ° CExperiment Zäit: 5min Resistenz änneren ≤10% |
Themal Stabilitéit | Temperatur: 300°CHeizung Zäit: 30min Resistenz änneren ≤300% |
Veraarbechtung
Si02 Layer:
(1) D'Roll vun der SiO2 Schicht:
Den Haaptziel ass et ze verhënneren datt d'Metallionen am Soda-Kalzium-Substrat an d'ITO-Schicht diffuséieren.Et beaflosst d'Konduktivitéit vun der ITO Schicht.
(2) Filmdicke vun der SiO2 Schicht:
D'Standardfilmdicke ass allgemeng 250 ± 50 Å
(3) Aner Komponenten an der SiO2 Schicht:
Normalerweis, fir d'Transmittance vum ITO Glas ze verbesseren, gëtt e gewëssen Undeel vu SiN4 an SiO2 dotéiert.
GLASS Widderstand | ||||||
TYPE | niddereg Resistenz | normal Resistenz | héich Resistenz | |||
Definitioun | <60 Ω | 60-150 Ω | 150-500 Ω | |||
Applikatioun | Héich Resistenz Glas gëtt allgemeng fir elektrostatesche Schutz an Touchscreen Produktioun benotzt | Gewéinlech Resistenzglas gëtt allgemeng benotzt fir TN-Typ Flëssegkristalldisplay an elektronesch Anti-Interferenz (EMI-Schirmung) | Niddereg Resistenzglas gëtt allgemeng a STN Flëssegkristalldisplays an transparente Circuitboards benotzt |