ແກ້ວ custom 2mm ito ຂາຍ
ຮູບພາບຜະລິດຕະພັນ
ແກ້ວເຄືອບ ITO ແມ່ນຜະລິດໂດຍການແຜ່ກະຈາຍຊິລິໂຄນໄດອອກໄຊ (SiO2) ແລະຊັ້ນ indium tin oxide (ເອີ້ນວ່າ ITO) ໂດຍເທກໂນໂລຍີ magnetron sputtering ເທິງຊັ້ນແກ້ວພາຍໃຕ້ສະພາບທີ່ສູນຍາກາດທັງຫມົດ, ເຮັດໃຫ້ໃບຫນ້າເຄືອບ conductive, ITO ເປັນໂລຫະປະສົມທີ່ມີຄວາມໂປ່ງໃສແລະດີ. ຄຸນສົມບັດ conductive.
ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການ
ຄວາມຫນາຂອງແກ້ວ ITO | 0.4mm,0.5mm,0.55mm,0.7mm,1mm,1.1mm,2mm,3mm,4mm | ||||||||
ການຕໍ່ຕ້ານ | 3-5Ω | 7-10Ω | 12-18Ω | 20-30Ω | 30-50Ω | 50-80Ω | 60-120Ω | 100-200Ω | 200-500Ω |
ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ | 2000-2200Å | 1600-1700Å | 1200-1300Å | 650-750Å | 350-450Å | 200-300Å | 150-250Å | 100-150Å | 30-100Å |
ການຕໍ່ຕ້ານແກ້ວ | |||
ປະເພດຕ້ານທານ | ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ | ຄວາມຕ້ານທານປົກກະຕິ | ຄວາມຕ້ານທານສູງ |
ຄໍານິຍາມ | <60Ω | 60-150Ω | 150-500Ω |
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ | ແກ້ວຄວາມຕ້ານທານສູງຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍທົ່ວໄປສໍາລັບການປ້ອງກັນ electrostatic ແລະການຜະລິດຫນ້າຈໍສໍາຜັດ | ແກ້ວຄວາມຕ້ານທານແບບ ທຳ ມະດາແມ່ນໃຊ້ໂດຍທົ່ວໄປ ສຳ ລັບການສະແດງແກ້ວປະເພດ TN ແລະຕ້ານການແຊກແຊງທາງເອເລັກໂຕຣນິກ (EMI shielding) | ແກ້ວຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ໃນການສະແດງ crystal ຂອງແຫຼວ STN ແລະແຜງວົງຈອນໂປ່ງໃສ |
ການທົດສອບຫນ້າທີ່ແລະການທົດສອບຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື | |
ຄວາມທົນທານ | ±0.2ມມ |
Warpage | ຄວາມຫນາ<0.55mm, warpage≤0.15% ຄວາມຫນາ>0.7mm,warpage≤0.15% |
ZT ຕັ້ງ | ≤1° |
ຄວາມແຂງ | >7ຊມ |
ການທົດສອບການຂັດຂັດເຄືອບ | 0000# ຂົນເຫຼັກ 1000gf,6000cycles, 40cycles/min |
ການທົດສອບຕ້ານການກັດກ່ອນ (ການທົດສອບການສີດເກືອ) | ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງ NaCL 5%:ອຸນຫະພູມ: 35°Cເວລາທົດລອງ: ການປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ານທານ 5 ນາທີ≤10% |
ການທົດສອບຄວາມຕ້ານທານຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ | 60℃,90%RH,ການປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ານທານ 48 ຊົ່ວໂມງ≤10% |
ການທົດສອບຄວາມຕ້ານທານອາຊິດ | ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງ HCL: 6%, ອຸນຫະພູມ: 35 ° Cເວລາທົດລອງ: ການປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ານທານ 5 ນາທີ≤10% |
ການທົດສອບຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ດ່າງ | ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນ NaOH: 10%, ອຸນຫະພູມ: 60 ° Cເວລາທົດລອງ: ການປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ານທານ 5 ນາທີ≤10% |
ຄວາມໝັ້ນຄົງຂອງຮູບແບບ | ອຸນຫະພູມ: 300°Cເວລາຄວາມຮ້ອນ: 30min ຄວາມຕ້ານທານການປ່ຽນແປງ≤300% |
ການປຸງແຕ່ງ
ຊັ້ນ Si02:
(1) ບົດບາດຂອງຊັ້ນ SiO2:
ຈຸດປະສົງຕົ້ນຕໍແມ່ນເພື່ອປ້ອງກັນການ ions ໂລຫະໃນ substrate soda-calcium ຈາກການແຜ່ກະຈາຍເຂົ້າໄປໃນຊັ້ນ ITO.ມັນມີຜົນກະທົບຕໍ່ການນໍາຂອງຊັ້ນ ITO.
(2) ຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາຂອງຊັ້ນ SiO2:
ຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາມາດຕະຖານໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນ 250 ± 50 Å
(3) ອົງປະກອບອື່ນໆໃນຊັ້ນ SiO2:
ປົກກະຕິແລ້ວ, ເພື່ອປັບປຸງການຖ່າຍທອດແກ້ວ ITO, ອັດຕາສ່ວນທີ່ແນ່ນອນຂອງ SiN4 ແມ່ນ doped ເຂົ້າໄປໃນ SiO2.