захиалгаар 2мм ито шил зарна
Бүтээгдэхүүний зураг
ITO дамжуулагч бүрсэн шил нь цахиурын давхар исэл (SiO2) ба индий цагаан тугалганы исэл (ихэвчлэн ITO гэгддэг) давхаргыг магнетрон цацах технологиор шилэн дэвсгэр дээр бүхэлд нь вакуумжуулсан нөхцөлд тарааж, бүрсэн нүүрийг дамжуулагч болгодог. дамжуулагч шинж чанар.
Техникийн өгөгдөл
ITO шилэн зузаан | 0,4мм,0,5мм,0,55мм,0,7мм,1мм,1,1мм,2мм,3мм,4мм | ||||||||
эсэргүүцэл | 3-5 Ом | 7-10 Ом | 12-18 Ом | 20-30 Ом | 30-50 Ом | 50-80 Ом | 60-120 Ом | 100-200 Ом | 200-500 Ом |
бүрхүүлийн зузаан | 2000-2200Å | 1600-1700Å | 1200-1300Å | 650-750Å | 350-450Å | 200-300Å | 150-250Å | 100-150Å | 30-100Å |
Шилэн эсэргүүцэл | |||
Эсэргүүцлийн төрөл | бага эсэргүүцэл | хэвийн эсэргүүцэл | өндөр эсэргүүцэл |
Тодорхойлолт | <60Ω | 60-150 Ом | 150-500 Ом |
Өргөдөл | Өндөр эсэргүүцэлтэй шилийг ихэвчлэн цахилгаан статикаас хамгаалах, мэдрэгчтэй дэлгэц үйлдвэрлэхэд ашигладаг | Энгийн эсэргүүцлийн шилийг ихэвчлэн TN төрлийн шингэн болор дэлгэц болон электрон хөндлөнгийн эсрэг (EMI хамгаалалт) ашигладаг. | Бага эсэргүүцэлтэй шилийг ихэвчлэн STN шингэн болор дэлгэц болон ил тод хэлхээний самбарт ашигладаг |
Функциональ тест ба найдвартай байдлын тест | |
Хүлцэл | ±0.2мм |
Warpage | зузаан<0.55 мм, эвдрэх≤ 0.15% зузаан>0.7мм, эвдрэл≤0.15% |
ZT босоо | ≤1° |
Хатуу байдал | >7H |
Бүрээсийн элэгдлийн туршилт | 0000#ган ноосон 1000гф,6000 цикл, 40 цикл / мин |
Зэврэлтээс хамгаалах туршилт (давс шүрших туршилт) | NaCL концентраци 5%:Температур: 35 ° CТуршилтын хугацаа: 5 минутын эсэргүүцлийн өөрчлөлт≤10% |
Чийгийн эсэргүүцлийн туршилт | 60℃,90% RH,48 цагийн эсэргүүцлийн өөрчлөлт≤10% |
Хүчил эсэргүүцэх туршилт | HCL агууламж: 6%, Температур: 35 ° CТуршилтын хугацаа: 5 минутын эсэргүүцлийн өөрчлөлт≤10% |
Шүлтлэг эсэргүүцлийн туршилт | NaOH агууламж:10%,Температур: 60°CТуршилтын хугацаа: 5 минутын эсэргүүцлийн өөрчлөлт≤10% |
Температурын тогтвортой байдал | Температур: 300 ° Cхалаалтын хугацаа: 30 мин эсэргүүцлийн өөрчлөлт≤300% |
Боловсруулж байна
Si02 давхарга:
(1) SiO2 давхаргын үүрэг:
Гол зорилго нь сод-кальцийн субстрат дахь металлын ионууд ITO давхаргад тархахаас урьдчилан сэргийлэх явдал юм.Энэ нь ITO давхаргын дамжуулах чанарт нөлөөлдөг.
(2) SiO2 давхаргын хальсны зузаан:
Стандарт хальсны зузаан нь ерөнхийдөө 250 ± 50 Å байна
(3) SiO2 давхаргын бусад бүрэлдэхүүн хэсгүүд:
Ихэвчлэн ITO шилний дамжуулалтыг сайжруулахын тулд SiN4-ийн тодорхой хувийг SiO2-т оруулдаг.