aganu'u ito ufiufi ipu tioata

aganu'u ito fa'apipi'i tioata substrate Fa'aalia Ata

ITO tioata mo lau pa'i ma fa'aoga ile fale su'esu'e

Vaega:

Lapopoa ma foliga

maualuga le mamafa faaletino o le ufiufi

Fa'asao fa'aeletise fa'apitoa

tioata maualuga (tetee i le va o le 150 ma le 500 ohms)

tioata masani (tetee i le va o le 60 ma le 150 ohms)

tioata maualalo (tetee e itiiti ifo i le 60 ohms)

Maualuluga o le siosiomaga ma le vevela

E lelei tele le fa'auluina o le eletise ma le manino o mata

Ufiufi tutusa

Malosiaga e puipui ai Eletise Eletise Fields

E mafai ona teuina i totonu o se ata manifinifi

Maumau i le vevela ma kemisi

Fesili atu mo se upusii

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Ata oloa

ITO conductive faʻapipiʻiina tioata e faia e ala i le faʻasalalauina o le silicon dioxide (SiO2) ma le indium tin oxide (e masani ona taʻua o le ITO) faʻapipiʻi e le magnetron sputtering tekinolosi i luga o le ipu tioata i lalo o le vacuumed tulaga atoa, faia le ufiufi mata conductive, ITO o se uʻamea uʻamea ma manino lelei ma. meatotino conductive.

EMI puipui i tioata

2mm ito fa'apipi'i pa'i ufiufi ufiufi tioata

3mm fa'a'ave'ave lenei fa'avevela tioata ufiufi

4mm ito tioata mo ki capacitive pa'i

Fa'amatalaga fa'apitoa

ITO mafiafia tioata	0.4mm,0.5mm,0.55mm,0.7mm,1mm,1.1mm,2mm,3mm,4mm
tetee	3-5Ω	7-10Ω	12-18Ω	20-30Ω	30-50Ω	50-80Ω	60-120Ω	100-200Ω	200-500Ω
mafiafia ufiufi	2000-2200Å	1600-1700Å	1200-1300Å	650-750Å	350-450Å	200-300Å	150-250Å	100-150Å	30-100Å

Tete'e tioata
Ituaiga tetee	maualalo tetee	tetee masani	maualuga tetee
Uiga	<60Ω	60-150Ω	150-500Ω
Fa'atatauga	O tioata maualuga tetee e masani ona faʻaaogaina mo le puipuiga o le electrostatic ma le gaosiga o le mata paʻi	O tioata tetee masani e masani ona faʻaaogaina mo le faʻaaliga tioata tioata TN ma faʻalavelave faʻaeletoroni (EMI shielding)	E masani ona fa'aaogaina tioata fa'atosina maualalo i fa'aaliga tioata vai STN ma laupapa va'ava'ai manino

Su'ega fa'atino ma su'ega fa'amaoni
Onosa'i	±0.2mm
Warpage	mafiafia＜0.55mm, warpage≤0.15% mafiafia＞0.7mm, warpage≤0.15%
ZT tūsa'o	≤1°
Malosi	>7H
Ufiufi Su'ega abrasion	0000# fulufulu u'amea ma le 1000gf,6000 ta'amilosaga,40 ta'amilosaga/min
Su'ega fa'afefete (su'ega masima)	NaCL fa'atonuga 5%: Vevela: 35°C Taimi fa'ata'ita'iga: 5min tete'e suiga≤10%
Su'ega o le susū	60℃,90%RH,48 itula suiga tetee≤10%
Su'ega fa'asa'o	HCL fa'atonuga: 6%, Vevela: 35°C Taimi fa'ata'ita'iga: 5min tete'e suiga≤10%
Su'ega o le alkali	NaOH fa'atonuga: 10%, Vevela: 60 ° C Taimi fa'ata'ita'iga: 5min tete'e suiga≤10%
Maumau autu	Vevela:300°C taimi fa'avevela:30min tete'e suiga≤300%

Fa'agasologa

Siata o le tafe o tioata Ito

O loʻo i ai le Sio2 faʻapipiʻi i lalo o le faʻamalama o Ito, o le a le mea lena?

Si02 laulau:
(1) Le matafaioi a le SiO2 layer:
O le fa'amoemoega autu o le puipuia lea o ion u'amea i totonu o le soda-calcium substrate mai le sosolo i totonu o le ITO layer.E a'afia ai le conductivity o le ITO layer.

(2) Ata mafiafia o le SiO2 layer:
O le mafiafia ata tifaga masani e masani lava 250 ± 50 Å

(3) O isi vaega i le SiO2 layer:
E masani lava, ina ia faʻaleleia le faʻaogaina o tioata ITO, o se vaega patino o SiN4 e faʻapipiʻiina i le SiO2.

O mea uma e lua e fai ma tioata fa'aau, O le a le Fto Glass?